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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    FJN3307RTA
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
  • ईसीएडी मॉडल
  • वोल्टेज - कलेक्टर Emitter टूटने (मैक्स)
    50V
  • Vce संतृप्ति (मैक्स) @ आईबी, आईसी
    300mV @ 500µA, 10mA
  • ट्रांजिस्टर प्रकार
    NPN - Pre-Biased
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    TO-92-3
  • शृंखला
    -
  • प्रतिरोधी - एमिटर बेस (आर 2)
    47 kOhms
  • प्रतिरोधी - आधार (आर 1)
    22 kOhms
  • पावर - मैक्स
    300mW
  • पैकेजिंग
    Tape & Box (TB)
  • पैकेज / प्रकरण
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Through Hole
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • आवृत्ति - संक्रमण
    250MHz
  • विस्तृत विवरण
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 300mW Through Hole TO-92-3
  • डीसी वर्तमान लाभ (hFE) (मिन) @ आईसी, Vce
    68 @ 5mA, 5V
  • वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (मैक्स)
    100nA (ICBO)
  • वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (मैक्स)
    100mA
FJN3309RTA

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विवरण: TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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FJN3310RBU

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विवरण: TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3

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FJN3311RBU

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निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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FJN3305RBU

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विवरण: TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3

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FJN3303RTA

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विवरण: TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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FJN3305RTA

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विवरण: TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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FJN3310RTA

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विवरण: TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3

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FJN3306RBU

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FJN3307RBU

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FJN3308RBU

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विवरण: TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3

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FJN3303RBU

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FJN3304RBU

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विवरण: TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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FJN3304RTA

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विवरण: TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3

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FJN3312RBU

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FJN3309RBU

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विवरण: TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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FJN3312RTA

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