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3634213FJNS3208RBU छविAMI Semiconductor / ON Semiconductor

FJNS3208RBU

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    FJNS3208RBU
  • निर्माता / ब्रांड
    AMI Semiconductor/onsemi
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92S
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
    FJNS3208RBU.pdf
  • ईसीएडी मॉडल
  • वोल्टेज - कलेक्टर Emitter टूटने (मैक्स)
    50V
  • Vce संतृप्ति (मैक्स) @ आईबी, आईसी
    300mV @ 500µA, 10mA
  • ट्रांजिस्टर प्रकार
    NPN - Pre-Biased
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    TO-92S
  • शृंखला
    -
  • प्रतिरोधी - एमिटर बेस (आर 2)
    22 kOhms
  • प्रतिरोधी - आधार (आर 1)
    47 kOhms
  • पावर - मैक्स
    300mW
  • पैकेजिंग
    Bulk
  • पैकेज / प्रकरण
    TO-226-3, TO-92-3 Short Body
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Through Hole
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • आवृत्ति - संक्रमण
    250MHz
  • विस्तृत विवरण
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 300mW Through Hole TO-92S
  • डीसी वर्तमान लाभ (hFE) (मिन) @ आईसी, Vce
    56 @ 5mA, 5V
  • वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (मैक्स)
    100nA (ICBO)
  • वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (मैक्स)
    100mA

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निम्नलिखित "FJNS3208RBU" संबंधित उत्पाद हैं।
FJNS3213RBU

FJNS3213RBU

विवरण: TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92S

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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FJNS3209RTA

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FJNS3206RTA

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विवरण: TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92S

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FJNS3207RTA

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FJNS3211RTA

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विवरण: TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92S

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FJNS3207RBU

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विवरण: TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92S

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FJNS3203RBU

FJNS3203RBU

विवरण: TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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FJNS3209RBU

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FJNS3206RBU

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FJNS3211RBU

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FJNS3203RTA

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FJNS3212RTA

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FJNS3210RBU

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FJNS3205RTA

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FJNS3205RBU

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FJNS3204RTA

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FJNS3208RTA

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FJNS3204RBU

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