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6599762FJNS3211RBU छविAMI Semiconductor / ON Semiconductor

FJNS3211RBU

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    FJNS3211RBU
  • निर्माता / ब्रांड
    AMI Semiconductor/onsemi
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92S
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
    FJNS3211RBU.pdf
  • ईसीएडी मॉडल
  • वोल्टेज - कलेक्टर Emitter टूटने (मैक्स)
    40V
  • Vce संतृप्ति (मैक्स) @ आईबी, आईसी
    300mV @ 1mA, 10mA
  • ट्रांजिस्टर प्रकार
    NPN - Pre-Biased
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    TO-92S
  • शृंखला
    -
  • प्रतिरोधी - आधार (आर 1)
    22 kOhms
  • पावर - मैक्स
    300mW
  • पैकेजिंग
    Bulk
  • पैकेज / प्रकरण
    TO-226-3, TO-92-3 Short Body
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Through Hole
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • आवृत्ति - संक्रमण
    250MHz
  • विस्तृत विवरण
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 40V 100mA 250MHz 300mW Through Hole TO-92S
  • डीसी वर्तमान लाभ (hFE) (मिन) @ आईसी, Vce
    100 @ 1mA, 5V
  • वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (मैक्स)
    100nA (ICBO)
  • वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (मैक्स)
    100mA

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FJNS3213RBU

FJNS3213RBU

विवरण: TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92S

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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FJNS3212RBU

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विवरण: TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92S

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FJNS3214RBU

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FJNS3209RTA

FJNS3209RTA

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FJNS3209RBU

FJNS3209RBU

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FJNS3207RBU

FJNS3207RBU

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FJNS3213RTA

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विवरण: TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92S

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FJNS3206RBU

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विवरण: TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92S

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FJNS3215RTA

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FJNS3214RTA

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FJNS3210RTA

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FJNS3211RTA

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FJNS3212RTA

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FJNS3208RTA

FJNS3208RTA

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FJNS3206RTA

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FJNS3210RBU

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FJNS4201RBU

FJNS4201RBU

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FJNS3208RBU

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FJNS3207RTA

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FJNS3215RBU

FJNS3215RBU

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