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4762139NSB13211DW6T1G छविAMI Semiconductor / ON Semiconductor

NSB13211DW6T1G

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    NSB13211DW6T1G
  • निर्माता / ब्रांड
    AMI Semiconductor/onsemi
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.23W SC88
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
    NSB13211DW6T1G.pdf
  • ईसीएडी मॉडल
  • वोल्टेज - कलेक्टर Emitter टूटने (मैक्स)
    50V
  • Vce संतृप्ति (मैक्स) @ आईबी, आईसी
    250mV @ 300µA, 10mA / 250mV @ 1mA, 10mA
  • ट्रांजिस्टर प्रकार
    1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    SC-88/SC70-6/SOT-363
  • शृंखला
    -
  • प्रतिरोधी - एमिटर बेस (आर 2)
    4.7 kOhms, 10 kOhms
  • प्रतिरोधी - आधार (आर 1)
    4.7 kOhms, 10 kOhms
  • पावर - मैक्स
    230mW
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • पैकेज / प्रकरण
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • आवृत्ति - संक्रमण
    -
  • विस्तृत विवरण
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 230mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
  • डीसी वर्तमान लाभ (hFE) (मिन) @ आईसी, Vce
    35 @ 5mA, 10V / 15 @ 5mA, 10V
  • वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (मैक्स)
    500nA
  • वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (मैक्स)
    100mA

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निम्नलिखित "NSB13211DW6T1G" संबंधित उत्पाद हैं।
NSB8DT-E3/45

NSB8DT-E3/45

विवरण: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
RFQ
NSB8BT-E3/45

NSB8BT-E3/45

विवरण: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
RFQ
NSB8BTHE3_A/P

NSB8BTHE3_A/P

विवरण: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
RFQ
NSB8DT-E3/81

NSB8DT-E3/81

विवरण: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
RFQ
NSB12ANT3G

NSB12ANT3G

विवरण: TVS DIODE 12V 19.9V SMB

निर्माता: Hamlin / Littelfuse
स्टॉक में
RFQ
NSB8BTHE3_A/I

NSB8BTHE3_A/I

विवरण: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
RFQ
NSB8BTHE3/81

NSB8BTHE3/81

विवरण: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
RFQ
NSB8AT-E3/45

NSB8AT-E3/45

विवरण: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
RFQ
NSB8BTHE3/45

NSB8BTHE3/45

विवरण: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
RFQ
NSB8ATHE3_A/P

NSB8ATHE3_A/P

विवरण: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
RFQ
NSB1706DMW5T1

NSB1706DMW5T1

विवरण: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SC70

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
NSB8ATHE3/45

NSB8ATHE3/45

विवरण: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
RFQ
NSB8BT-E3/81

NSB8BT-E3/81

विवरण: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
RFQ
NSB8ATHE3/81

NSB8ATHE3/81

विवरण: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
RFQ
NSB8DTHE3/45

NSB8DTHE3/45

विवरण: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
RFQ
NSB4904DW1T1G

NSB4904DW1T1G

विवरण: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.25W SC88

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
NSB8ATHE3_A/I

NSB8ATHE3_A/I

विवरण: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
RFQ
NSB13ANT3G

NSB13ANT3G

विवरण: TVS DIODE 13V 21.5V SMB

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
NSB1706DMW5T1G

NSB1706DMW5T1G

विवरण: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SC70

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
NSB8AT-E3/81

NSB8AT-E3/81

विवरण: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
RFQ
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