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AS4C64M8D2-25BANTR

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    AS4C64M8D2-25BANTR
  • निर्माता / ब्रांड
    Alliance Memory, Inc.
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
    AS4C64M8D2-25BANTR.pdf
  • ईसीएडी मॉडल
  • लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ
    15ns
  • वोल्टेज आपूर्ति
    1.7 V ~ 1.9 V
  • प्रौद्योगिकी
    SDRAM - DDR2
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    60-FBGA (8x10)
  • शृंखला
    -
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • पैकेज / प्रकरण
    60-TFBGA
  • परिचालन तापमान
    -40°C ~ 105°C (TC)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    3 (168 Hours)
  • स्मृति के प्रकार
    Volatile
  • मेमोरी का आकार
    512Mb (64M x 8)
  • मेमोरी इंटरफेस
    Parallel
  • मेमोरी प्रारूप
    DRAM
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    8 Weeks
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • विस्तृत विवरण
    SDRAM - DDR2 Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 400MHz 400ps 60-FBGA (8x10)
  • घड़ी आवृत्ति
    400MHz
  • अभिगम समय
    400ps
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  • शिपिंग
  • भुगतान

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AS4C64M8D1-5BCNTR

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विवरण: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

निर्माता: Alliance Memory, Inc.
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AS4C64M8D3-12BCN

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विवरण: IC DRAM 512M PARALLEL 78FBGA

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AS4C64M8D2-25BINTR

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विवरण: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

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AS4C64M8D2-25BCN

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विवरण: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

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AS4C64M8D1-5BCN

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विवरण: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

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AS4C64M8D1-5TCN

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विवरण: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

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AS4C64M8D3-12BIN

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AS4C64M8D3-12BCNTR

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AS4C64M8D3L-12BCN

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AS4C64M8D2-25BIN

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AS4C64M8D1-5BIN

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AS4C64M8D2-25BAN

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AS4C64M8D1-5TIN

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विवरण: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

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AS4C64M8D1-5TCNTR

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AS4C64M4SA-7TCNTR

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विवरण: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

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AS4C64M8D1-5TINTR

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