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CYD18S18V18-167BBAXI

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    CYD18S18V18-167BBAXI
  • निर्माता / ब्रांड
    Cypress Semiconductor
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IC SRAM 18M PARALLEL 256FBGA
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
    CYD18S18V18-167BBAXI.pdf
  • ईसीएडी मॉडल
  • लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ
    -
  • वोल्टेज आपूर्ति
    1.42 V ~ 1.58 V, 1.7 V ~ 1.9 V
  • प्रौद्योगिकी
    SRAM - Dual Port, Synchronous
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    256-FBGA (17x17)
  • शृंखला
    -
  • पैकेजिंग
    Tray
  • पैकेज / प्रकरण
    256-LBGA
  • दुसरे नाम
    CYD18S18V18167BBAXI
  • परिचालन तापमान
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    5 (48 Hours)
  • स्मृति के प्रकार
    Volatile
  • मेमोरी का आकार
    18Mb (1M x 18)
  • मेमोरी इंटरफेस
    Parallel
  • मेमोरी प्रारूप
    SRAM
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • विस्तृत विवरण
    SRAM - Dual Port, Synchronous Memory IC 18Mb (1M x 18) Parallel 167MHz 4ns 256-FBGA (17x17)
  • घड़ी आवृत्ति
    167MHz
  • आधार भाग संख्या
    CYD18S18
  • अभिगम समय
    4ns

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CYD18S72V-133BBI

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CYD18S72V-133BBC

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CYD09S72V18-200BBXC

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विवरण: IC SRAM 9M PARALLEL 256FBGA

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CYD18S72V-100BBC

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विवरण: IC SRAM 18M PARALLEL 484FBGA

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CYD09S72V-133BBC

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CYD18S18V18-200BBAXC

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CYD18S18V18-200BBAXI

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CYD09S72V-167BBC

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CYD18S72V-100BBI

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CYD09S36V18-WW14

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CYD18S72V18-167BBXC

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CYD18S36V18-200BBAXI

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CYD18S36V18-167BBAI

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