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5866304GP2M008A060FGH छविGlobal Power Technologies Group

GP2M008A060FGH

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    GP2M008A060FGH
  • निर्माता / ब्रांड
    SemiQ
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220F
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
    GP2M008A060FGH.pdf
  • ईसीएडी मॉडल
  • वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र
    5V @ 250µA
  • वीजीएस (मैक्स)
    ±30V
  • प्रौद्योगिकी
    MOSFET (Metal Oxide)
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    TO-220F
  • शृंखला
    -
  • आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस
    1.2 Ohm @ 3.75A, 10V
  • शक्ति का अपव्यय (मैक्स)
    39W (Tc)
  • पैकेजिंग
    Tube
  • पैकेज / प्रकरण
    TO-220-3 Full Pack
  • दुसरे नाम
    1560-1204-1
    1560-1204-1-ND
    1560-1204-5
  • परिचालन तापमान
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Through Hole
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
    1063pF @ 25V
  • गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
    23nC @ 10V
  • FET प्रकार
    N-Channel
  • FET फ़ीचर
    -
  • ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)
    10V
  • स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)
    600V
  • विस्तृत विवरण
    N-Channel 600V 7.5A (Tc) 39W (Tc) Through Hole TO-220F
  • वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस
    7.5A (Tc)

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GP2M009A090FG

GP2M009A090FG

विवरण: MOSFET N-CH 900V 9A TO220F

निर्माता: Global Power Technologies Group
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RFQ
GP2M008A060HG

GP2M008A060HG

विवरण: MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
RFQ
GP2M011A090NG

GP2M011A090NG

विवरण: MOSFET N-CH 900V 11A TO3PN

निर्माता: Global Power Technologies Group
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GP2M010A060H

GP2M010A060H

विवरण: MOSFET N-CH 600V 10A TO220

निर्माता: Global Power Technologies Group
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GP2M008A060FG

GP2M008A060FG

विवरण: MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220F

निर्माता: Global Power Technologies Group
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GP2M005A060CG

GP2M005A060CG

विवरण: MOSFET N-CH 600V 4.2A DPAK

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GP2M008A060CG

GP2M008A060CG

विवरण: MOSFET N-CH 600V 7.5A DPAK

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GP2M009A090NG

GP2M009A090NG

विवरण: MOSFET N-CH 900V 9A TO3PN

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GP2M010A065F

GP2M010A065F

विवरण: MOSFET N-CH 650V 9.5A TO220F

निर्माता: Global Power Technologies Group
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GP2M010A060F

GP2M010A060F

विवरण: MOSFET N-CH 600V 10A TO220F

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
RFQ
GP2M005A060HG

GP2M005A060HG

विवरण: MOSFET N-CH 600V 4.2A TO220

निर्माता: Global Power Technologies Group
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GP2M008A060PGH

GP2M008A060PGH

विवरण: MOSFET N-CH 600V 7.5A IPAK

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GP2M008A060PG

GP2M008A060PG

विवरण: MOSFET N-CH 600V 7.5A IPAK

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GP2M005A050PG

GP2M005A050PG

विवरण: MOSFET N-CH 500V 4.5A IPAK

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GP2M010A065H

GP2M010A065H

विवरण: MOSFET N-CH 650V 9.5A TO220

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GP2M005A060FG

GP2M005A060FG

विवरण: MOSFET N-CH 600V 4.2A TO220F

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GP2M007A065HG

GP2M007A065HG

विवरण: MOSFET N-CH 650V 6.5A TO220

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GP2M007A080F

GP2M007A080F

विवरण: MOSFET N-CH 800V 7A TO220F

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GP2M005A060PGH

GP2M005A060PGH

विवरण: MOSFET N-CH 600V 4.2A IPAK

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GP2M005A060PG

GP2M005A060PG

विवरण: MOSFET N-CH 600V 4.2A IPAK

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