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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    IS49NLS96400A-33WBL
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IC DRAM 576M PARALLEL 300MHZ
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
  • ईसीएडी मॉडल
  • लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ
    -
  • वोल्टेज आपूर्ति
    1.7 V ~ 1.9 V
  • प्रौद्योगिकी
    DRAM
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    144-TWBGA (11x18.5)
  • शृंखला
    -
  • पैकेजिंग
    Tray
  • पैकेज / प्रकरण
    144-TFBGA
  • परिचालन तापमान
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    3 (168 Hours)
  • स्मृति के प्रकार
    Volatile
  • मेमोरी का आकार
    576Mb (64M x 9)
  • मेमोरी इंटरफेस
    Parallel
  • मेमोरी प्रारूप
    DRAM
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    12 Weeks
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • विस्तृत विवरण
    DRAM Memory IC 576Mb (64M x 9) Parallel 300MHz 20ns 144-TWBGA (11x18.5)
  • घड़ी आवृत्ति
    300MHz
  • अभिगम समय
    20ns
IS49RL18320-093BLI

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विवरण: IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

निर्माता: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS49NLS96400-25BI

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विवरण: IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA

निर्माता: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS49NLS96400-25BL

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विवरण: IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA

निर्माता: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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विवरण: IC DRAM 576M PARALLEL 400MHZ

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विवरण: IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

निर्माता: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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विवरण: IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA

निर्माता: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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विवरण: IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

निर्माता: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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विवरण: IC DRAM 288M PARALLEL 300MHZ

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विवरण: IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

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विवरण: IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA

निर्माता: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS49NLS96400-25BLI

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विवरण: IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA

निर्माता: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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विवरण: IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA

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विवरण: IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

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