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IS49RL18320-107EBL

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    IS49RL18320-107EBL
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
  • ईसीएडी मॉडल
  • लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ
    -
  • वोल्टेज आपूर्ति
    1.28 V ~ 1.42 V
  • प्रौद्योगिकी
    DRAM
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    168-FC(LF)BGA (13.5x13.5)
  • शृंखला
    -
  • पैकेजिंग
    Tray
  • पैकेज / प्रकरण
    168-LBGA
  • परिचालन तापमान
    0°C ~ 70°C (TA)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    3 (168 Hours)
  • स्मृति के प्रकार
    Volatile
  • मेमोरी का आकार
    576Mb (32M x 18)
  • मेमोरी इंटरफेस
    Parallel
  • मेमोरी प्रारूप
    DRAM
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • विस्तृत विवरण
    DRAM Memory IC 576Mb (32M x 18) Parallel 933MHz 8ns 168-FC(LF)BGA (13.5x13.5)
  • घड़ी आवृत्ति
    933MHz
  • अभिगम समय
    8ns
IS49RL18320-093EBLI

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विवरण: IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

निर्माता: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS49RL36160-107BL

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विवरण: IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

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विवरण: IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

निर्माता: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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विवरण: IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA

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विवरण: IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

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विवरण: IC DRAM 576M PARALLEL 400MHZ

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IS49RL18320-125EBLI

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विवरण: IC DRAM 576M PARALLEL 300MHZ

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