International Rectifier (Infineon Technologies)

IPD80R1K0CEBTMA1

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विशेष विवरण

भाग संख्या

IPD80R1K0CEBTMA1

निर्माता / ब्रांड

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)

शेयर मात्रा

स्टॉक में

विवरण

MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप

डाटा शीट

IPD80R1K0CEBTMA1.pdf

वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

3.9V @ 250µA

वीजीएस (मैक्स)

±20V

प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)

प्रदायक डिवाइस पैकेज

TO-252-3

शृंखला

CoolMOS™

आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

950 mOhm @ 3.6A, 10V

शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

83W (Tc)

पैकेजिंग

Tape & Reel (TR)

पैकेज / प्रकरण

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

दुसरे नाम

IPD80R1K0CEBTMA1TR
SP001100606

परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

785pF @ 100V

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

31nC @ 10V

FET प्रकार

N-Channel

FET फ़ीचर

-

ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

10V

स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

800V

विस्तृत विवरण

N-Channel 800V 5.7A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount TO-252-3

वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

5.7A (Tc)