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3876326IPD80R1K4P7ATMA1 छविInternational Rectifier (Infineon Technologies)

IPD80R1K4P7ATMA1

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    IPD80R1K4P7ATMA1
  • निर्माता / ब्रांड
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    MOSFET N-CH 800V 4A DPAK
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
    IPD80R1K4P7ATMA1.pdf
  • वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र
    3.5V @ 700µA
  • वीजीएस (मैक्स)
    ±20V
  • प्रौद्योगिकी
    MOSFET (Metal Oxide)
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    TO-252
  • शृंखला
    CoolMOS™
  • आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस
    1.4 Ohm @ 1.4A, 10V
  • शक्ति का अपव्यय (मैक्स)
    32W (Tc)
  • पैकेजिंग
    Cut Tape (CT)
  • पैकेज / प्रकरण
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • दुसरे नाम
    IPD80R1K4P7ATMA1CT
  • परिचालन तापमान
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
    250pF @ 500V
  • गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
    10nC @ 10V
  • FET प्रकार
    N-Channel
  • FET फ़ीचर
    Super Junction
  • ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)
    10V
  • स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)
    800V
  • विस्तृत विवरण
    N-Channel 800V 4A (Tc) 32W (Tc) Surface Mount TO-252
  • वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस
    4A (Tc)
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IPD80R1K4CEBTMA1

IPD80R1K4CEBTMA1

विवरण: MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
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IPD80R280P7ATMA1

IPD80R280P7ATMA1

विवरण: MOSFET N-CH 800V 17A TO252

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
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RFQ
IPD80N06S3-09

IPD80N06S3-09

विवरण: MOSFET N-CH 55V 80A TO252-3

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
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IPD80R2K8CEBTMA1

IPD80R2K8CEBTMA1

विवरण: MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
स्टॉक में
RFQ
IPD80R2K8CEATMA1

IPD80R2K8CEATMA1

विवरण: MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
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IPD80R4K5P7ATMA1

IPD80R4K5P7ATMA1

विवरण: MOSFET N-CH 800V 1.5A DPAK

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
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IPD80N04S306BATMA1

IPD80N04S306BATMA1

विवरण: MOSFET N-CHANNEL_30/40V

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IPD80R360P7ATMA1

IPD80R360P7ATMA1

विवरण: MOSFET N-CH 800V 13A TO252-3

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IPD80R3K3P7ATMA1

IPD80R3K3P7ATMA1

विवरण: MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
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IPD80P03P4L07ATMA1

IPD80P03P4L07ATMA1

विवरण: MOSFET P-CH 30V 80A TO252-3

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IPD800N06NGBTMA1

IPD800N06NGBTMA1

विवरण: MOSFET N-CH 60V 16A TO-252

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IPD80R2K0P7ATMA1

IPD80R2K0P7ATMA1

विवरण: MOSFET N-CH 800V 3A TO252-3

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
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IPD80R450P7ATMA1

IPD80R450P7ATMA1

विवरण: MOSFET N-CH 800V 11A DPAK

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
स्टॉक में
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IPD80R2K4P7ATMA1

IPD80R2K4P7ATMA1

विवरण: MOSFET N-CH 800V 2.5A TO252-3

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
स्टॉक में
RFQ
IPD80R1K0CEBTMA1

IPD80R1K0CEBTMA1

विवरण: MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
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IPD80N04S306ATMA1

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विवरण: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
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RFQ
IPD80R1K0CEATMA1

IPD80R1K0CEATMA1

विवरण: MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
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IPD80R1K4CEATMA1

IPD80R1K4CEATMA1

विवरण: MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3

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IPD80R2K7C3AATMA1

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विवरण: MOSFET N-CH TO252-3

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IPD80R1K2P7ATMA1

IPD80R1K2P7ATMA1

विवरण: MOSFET N-CH 800V 4.5A TO252-3

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
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