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2220154IPD80R2K0P7ATMA1 छविInternational Rectifier (Infineon Technologies)

IPD80R2K0P7ATMA1

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    IPD80R2K0P7ATMA1
  • निर्माता / ब्रांड
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    MOSFET N-CH 800V 3A TO252-3
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
    IPD80R2K0P7ATMA1.pdf
  • वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र
    3.5V @ 50µA
  • वीजीएस (मैक्स)
    ±20V
  • प्रौद्योगिकी
    MOSFET (Metal Oxide)
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    PG-TO252-3
  • शृंखला
    CoolMOS™ P7
  • आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस
    2 Ohm @ 940mA, 10V
  • शक्ति का अपव्यय (मैक्स)
    24W (Tc)
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • पैकेज / प्रकरण
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • दुसरे नाम
    IPD80R2K0P7ATMA1TR
    SP001634906
  • परिचालन तापमान
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
    175pF @ 500V
  • गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
    9nC @ 10V
  • FET प्रकार
    N-Channel
  • FET फ़ीचर
    -
  • ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)
    10V
  • स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)
    800V
  • विस्तृत विवरण
    N-Channel 800V 3A (Tc) 24W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
  • वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस
    3A (Tc)
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IPD80R2K8CEBTMA1

IPD80R2K8CEBTMA1

विवरण: MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
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IPD80R1K4CEATMA1

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विवरण: MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
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IPD80R600P7ATMA1

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विवरण: MOSFET N-CH 800V 8A TO252-3

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
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IPD80R360P7ATMA1

IPD80R360P7ATMA1

विवरण: MOSFET N-CH 800V 13A TO252-3

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
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IPD80R1K0CEATMA1

IPD80R1K0CEATMA1

विवरण: MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3

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IPD80P03P4L07ATMA1

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विवरण: MOSFET P-CH 30V 80A TO252-3

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IPD80N04S306BATMA1

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विवरण: MOSFET N-CHANNEL_30/40V

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IPD80R280P7ATMA1

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विवरण: MOSFET N-CH 800V 17A TO252

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IPD80R4K5P7ATMA1

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विवरण: MOSFET N-CH 800V 1.5A DPAK

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IPD80R1K0CEBTMA1

IPD80R1K0CEBTMA1

विवरण: MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3

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IPD80R3K3P7ATMA1

IPD80R3K3P7ATMA1

विवरण: MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3

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IPD80R1K4CEBTMA1

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विवरण: MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
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IPD80N06S3-09

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विवरण: MOSFET N-CH 55V 80A TO252-3

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IPD80R1K2P7ATMA1

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विवरण: MOSFET N-CH 800V 4.5A TO252-3

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
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IPD80R2K7C3AATMA1

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विवरण: MOSFET N-CH TO252-3

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
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IPD80R750P7ATMA1

IPD80R750P7ATMA1

विवरण: MOSFET N-CH 800V 7A TO252-3

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
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IPD80R2K8CEATMA1

IPD80R2K8CEATMA1

विवरण: MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3

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IPD80R450P7ATMA1

IPD80R450P7ATMA1

विवरण: MOSFET N-CH 800V 11A DPAK

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IPD80R2K4P7ATMA1

IPD80R2K4P7ATMA1

विवरण: MOSFET N-CH 800V 2.5A TO252-3

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IPD80R1K4P7ATMA1

IPD80R1K4P7ATMA1

विवरण: MOSFET N-CH 800V 4A DPAK

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