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5314699RDN120N25 छविLAPIS Semiconductor

RDN120N25

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    RDN120N25
  • निर्माता / ब्रांड
    LAPIS Technology
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    MOSFET N-CH 250V 12A TO-220FN
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
    RDN120N25.pdf
  • ईसीएडी मॉडल
  • वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र
    4V @ 1mA
  • वीजीएस (मैक्स)
    ±30V
  • प्रौद्योगिकी
    MOSFET (Metal Oxide)
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    TO-220FN
  • शृंखला
    -
  • आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस
    210 mOhm @ 6A, 10V
  • शक्ति का अपव्यय (मैक्स)
    40W (Tc)
  • पैकेजिंग
    Bulk
  • पैकेज / प्रकरण
    TO-220-3 Full Pack
  • परिचालन तापमान
    150°C (TJ)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Through Hole
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
    1224pF @ 10V
  • गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
    62nC @ 10V
  • FET प्रकार
    N-Channel
  • FET फ़ीचर
    -
  • ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)
    10V
  • स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)
    250V
  • विस्तृत विवरण
    N-Channel 250V 12A (Ta) 40W (Tc) Through Hole TO-220FN
  • वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस
    12A (Ta)

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भुगतान
निम्नलिखित "RDN120N25" संबंधित उत्पाद हैं।
AON7784

AON7784

विवरण: MOSFET N-CH 30V 31A 8DFN

निर्माता: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
स्टॉक में
RFQ
RDN150N20FU6

RDN150N20FU6

विवरण: MOSFET N-CH 200V 15A TO-220FN

निर्माता: LAPIS Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
RDN080N25FU6

RDN080N25FU6

विवरण: MOSFET N-CH 250V 8A TO220FN

निर्माता: LAPIS Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
RDN120N25FU6

RDN120N25FU6

विवरण: MOSFET N-CH 250V 12A TO-220FN

निर्माता: LAPIS Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
RDN100N20FU6

RDN100N20FU6

विवरण: MOSFET N-CH 200V 10A TO-220FN

निर्माता: LAPIS Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
R6030ENZC8

R6030ENZC8

विवरण: MOSFET N-CH 600V 30A TO3PF

निर्माता: LAPIS Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
SPD08P06PGBTMA1

SPD08P06PGBTMA1

विवरण: MOSFET P-CH 60V 8.83A 3TO252

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
स्टॉक में
RFQ
IPA65R310CFDXKSA1

IPA65R310CFDXKSA1

विवरण: MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
स्टॉक में
RFQ
AOWF12T60P

AOWF12T60P

विवरण: MOSFET N-CH 600V 12A TO262F

निर्माता: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
स्टॉक में
RFQ
BUK7E1R8-40E,127

BUK7E1R8-40E,127

विवरण: MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK

निर्माता: Nexperia
स्टॉक में
RFQ
RDN050N20FU6

RDN050N20FU6

विवरण: MOSFET N-CH 200V 5A TO-220FN

निर्माता: LAPIS Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
DMT6005LSS-13

DMT6005LSS-13

विवरण: MOSFET N-CHA 60V 13.5A SO8

निर्माता: Diodes Incorporated
स्टॉक में
RFQ
SI4420DY,518

SI4420DY,518

विवरण: MOSFET N-CH 30V SOT96-1

निर्माता: NXP Semiconductors / Freescale
स्टॉक में
RFQ
IRFU9014N

IRFU9014N

विवरण: MOSFET P-CH 60V 5.1A I-PAK

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
स्टॉक में
RFQ
IXTA200N085T

IXTA200N085T

विवरण: MOSFET N-CH 85V 200A TO-263

निर्माता: IXYS Corporation
स्टॉक में
RFQ
RDN100N20

RDN100N20

विवरण: MOSFET N-CH 200V 10A TO-220FN

निर्माता: LAPIS Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
AON6413

AON6413

विवरण: MOSFET P-CH 30V 22A 8DFN

निर्माता: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
स्टॉक में
RFQ
TPCF8102(TE85L,F,M

TPCF8102(TE85L,F,M

विवरण: MOSFET P-CH 20V 6A VS8 2-3U1A

निर्माता: Toshiba Semiconductor and Storage
स्टॉक में
RFQ
DMN61D9U-13

DMN61D9U-13

विवरण: MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT23

निर्माता: Diodes Incorporated
स्टॉक में
RFQ
AO3403

AO3403

विवरण: MOSFET P-CH 30V 2.6A SOT23

निर्माता: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
स्टॉक में
RFQ
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