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2297446RQ6C050UNTR छविLAPIS Semiconductor

RQ6C050UNTR

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    RQ6C050UNTR
  • निर्माता / ब्रांड
    LAPIS Technology
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    MOSFET N-CH 20V 5A TSMT
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
    1.RQ6C050UNTR.pdf
    2.RQ6C050UNTR.pdf
  • वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र
    1V @ 1mA
  • वीजीएस (मैक्स)
    ±10V
  • प्रौद्योगिकी
    MOSFET (Metal Oxide)
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    TSMT6 (SC-95)
  • शृंखला
    -
  • आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस
    30 mOhm @ 5A, 4.5V
  • शक्ति का अपव्यय (मैक्स)
    1.25W (Ta)
  • पैकेजिंग
    Original-Reel®
  • पैकेज / प्रकरण
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • दुसरे नाम
    RQ6C050UNDKR
    RQ6C050UNTRDKR
    RQ6C050UNTRDKR-ND
  • परिचालन तापमान
    150°C (TJ)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
    900pF @ 10V
  • गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
    12nC @ 4.5V
  • FET प्रकार
    N-Channel
  • FET फ़ीचर
    -
  • ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)
    1.5V, 4.5V
  • स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)
    20V
  • विस्तृत विवरण
    N-Channel 20V 5A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount TSMT6 (SC-95)
  • वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस
    5A (Ta)
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शिपिंग
भुगतान
निम्नलिखित "RQ6C050UNTR" संबंधित उत्पाद हैं।
IRFZ44NSTRRPBF

IRFZ44NSTRRPBF

विवरण: MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
स्टॉक में
RFQ
RQ6E035ATTCR

RQ6E035ATTCR

विवरण: MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT

निर्माता: LAPIS Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
IPB180N06S4H1ATMA2

IPB180N06S4H1ATMA2

विवरण: MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
स्टॉक में
RFQ
FQI2P25TU

FQI2P25TU

विवरण: MOSFET P-CH 250V 2.3A I2PAK

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
IRFIBF30G

IRFIBF30G

विवरण: MOSFET N-CH 900V 1.9A TO220FP

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
RFQ
RQ6P015SPTR

RQ6P015SPTR

विवरण: MOSFET P-CH 100V 1.5A TSMT

निर्माता: LAPIS Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
RSD160P05TL

RSD160P05TL

विवरण: MOSFET P-CH 45V 16A CPT3

निर्माता: LAPIS Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
IRFS7530TRL7PP

IRFS7530TRL7PP

विवरण: MOSFET N CH 60V 240A D2PAK

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
स्टॉक में
RFQ
IRF9Z34NLPBF

IRF9Z34NLPBF

विवरण: MOSFET P-CH 55V 19A TO-262

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
स्टॉक में
RFQ
SQM25N15-52_GE3

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विवरण: MOSFET N-CH 150V 25A TO263

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
RFQ
RQ6C050BCTCR

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विवरण: PCH -20V -5A MIDDLE POWER MOSFET

निर्माता: LAPIS Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
RQ6E085BNTCR

RQ6E085BNTCR

विवरण: NCH 30V 8.5A MIDDLE POWER MOSFET

निर्माता: LAPIS Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
IRFPC50LC

IRFPC50LC

विवरण: MOSFET N-CH 600V 11A TO-247AC

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
RFQ
RQ6C065BCTCR

RQ6C065BCTCR

विवरण: PCH -20V -6.5A MIDDLE POWER MOSF

निर्माता: LAPIS Semiconductor
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RFQ
NVMFS6B14NT3G

NVMFS6B14NT3G

विवरण: MOSFET N-CH 100V 15A SO8FL

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
RQ6E055BNTCR

RQ6E055BNTCR

विवरण: MOSFET N-CH 30V 5.5A TSMT

निर्माता: LAPIS Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
RQ6E030ATTCR

RQ6E030ATTCR

विवरण: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT

निर्माता: LAPIS Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
RQ6E045BNTCR

RQ6E045BNTCR

विवरण: MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT

निर्माता: LAPIS Semiconductor
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RQ6E050ATTCR

RQ6E050ATTCR

विवरण: MOSFET P-CH 30V 5A TSMT

निर्माता: LAPIS Semiconductor
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TPH6R004PL,LQ

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विवरण: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

निर्माता: Toshiba Semiconductor and Storage
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