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1095768RQ6E085BNTCR छविLAPIS Semiconductor

RQ6E085BNTCR

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    RQ6E085BNTCR
  • निर्माता / ब्रांड
    LAPIS Technology
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    NCH 30V 8.5A MIDDLE POWER MOSFET
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
    1.RQ6E085BNTCR.pdf
    2.RQ6E085BNTCR.pdf
  • वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र
    2.5V @ 1mA
  • वीजीएस (मैक्स)
    ±20V
  • प्रौद्योगिकी
    MOSFET (Metal Oxide)
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    SOT-457
  • शृंखला
    -
  • आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस
    14.4 mOhm @ 8.5A, 10V
  • शक्ति का अपव्यय (मैक्स)
    1.25W (Tc)
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • पैकेज / प्रकरण
    SC-74, SOT-457
  • दुसरे नाम
    RQ6E085BNTCRTR
  • परिचालन तापमान
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
    1350pF @ 15V
  • गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
    32.7nC @ 10V
  • FET प्रकार
    N-Channel
  • FET फ़ीचर
    -
  • ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)
    10V
  • स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)
    30V
  • विस्तृत विवरण
    N-Channel 30V 8.5A (Tc) 1.25W (Tc) Surface Mount SOT-457
  • वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस
    8.5A (Tc)
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  • शिपिंग
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निम्नलिखित "RQ6E085BNTCR" संबंधित उत्पाद हैं।
RQ6P015SPTR

RQ6P015SPTR

विवरण: MOSFET P-CH 100V 1.5A TSMT

निर्माता: LAPIS Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
IRFD224PBF

IRFD224PBF

विवरण: MOSFET N-CH 250V 630MA 4-DIP

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
RFQ
RQ6E030ATTCR

RQ6E030ATTCR

विवरण: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT

निर्माता: LAPIS Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
PSMN7R6-60PS,127

PSMN7R6-60PS,127

विवरण: MOSFET N-CH 60V 92A TO220AB

निर्माता: Nexperia
स्टॉक में
RFQ
RQ6C050UNTR

RQ6C050UNTR

विवरण: MOSFET N-CH 20V 5A TSMT

निर्माता: LAPIS Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
NP80N055KLE-E1-AY

NP80N055KLE-E1-AY

विवरण: MOSFET N-CH 55V 80A TO-263

निर्माता: Renesas Electronics America
स्टॉक में
RFQ
RQ6C065BCTCR

RQ6C065BCTCR

विवरण: PCH -20V -6.5A MIDDLE POWER MOSF

निर्माता: LAPIS Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
RQ6E045BNTCR

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विवरण: MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT

निर्माता: LAPIS Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
EPC2031ENGRT

EPC2031ENGRT

विवरण: MOSFET NCH 60V 31A DIE

निर्माता: EPC
स्टॉक में
RFQ
RQ6C050BCTCR

RQ6C050BCTCR

विवरण: PCH -20V -5A MIDDLE POWER MOSFET

निर्माता: LAPIS Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
MCH3376-TL-E

MCH3376-TL-E

विवरण: MOSFET P-CH 8A 20V MCPH3

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
RQ6E055BNTCR

RQ6E055BNTCR

विवरण: MOSFET N-CH 30V 5.5A TSMT

निर्माता: LAPIS Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
RQ6E035ATTCR

RQ6E035ATTCR

विवरण: MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT

निर्माता: LAPIS Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
IRFPS3810

IRFPS3810

विवरण: MOSFET N-CH 100V 170A SUPER247

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
स्टॉक में
RFQ
IRL2203NSPBF

IRL2203NSPBF

विवरण: MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
स्टॉक में
RFQ
SIR418DP-T1-GE3

SIR418DP-T1-GE3

विवरण: MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
RFQ
AOD452

AOD452

विवरण: MOSFET N-CH 25V 55A TO-252

निर्माता: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
स्टॉक में
RFQ
IPI50R199CPXKSA1

IPI50R199CPXKSA1

विवरण: MOSFET N-CH 500V 17A TO262

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
स्टॉक में
RFQ
RQ6E050ATTCR

RQ6E050ATTCR

विवरण: MOSFET P-CH 30V 5A TSMT

निर्माता: LAPIS Semiconductor
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RFQ
FQD30N06TM

FQD30N06TM

विवरण: MOSFET N-CH 60V 22.7A DPAK-3

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
स्टॉक में
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