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3862342RQ6E045BNTCR छविLAPIS Semiconductor

RQ6E045BNTCR

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    RQ6E045BNTCR
  • निर्माता / ब्रांड
    LAPIS Technology
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
    1.RQ6E045BNTCR.pdf
    2.RQ6E045BNTCR.pdf
  • ईसीएडी मॉडल
  • वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र
    2.5V @ 1mA
  • वीजीएस (मैक्स)
    ±20V
  • प्रौद्योगिकी
    MOSFET (Metal Oxide)
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    TSMT6 (SC-95)
  • शृंखला
    -
  • आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस
    30 mOhm @ 4.5A, 10V
  • शक्ति का अपव्यय (मैक्स)
    1.25W (Ta)
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • पैकेज / प्रकरण
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • दुसरे नाम
    RQ6E045BNTCRTR
  • परिचालन तापमान
    150°C (TJ)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
    330pF @ 15V
  • गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
    8.4nC @ 10V
  • FET प्रकार
    N-Channel
  • FET फ़ीचर
    -
  • ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)
    4.5V, 10V
  • स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)
    30V
  • विस्तृत विवरण
    N-Channel 30V 4.5A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount TSMT6 (SC-95)
  • वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस
    4.5A (Ta)
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  • शिपिंग
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भुगतान
निम्नलिखित "RQ6E045BNTCR" संबंधित उत्पाद हैं।
SI7102DN-T1-E3

SI7102DN-T1-E3

विवरण: MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
RFQ
RQ6P015SPTR

RQ6P015SPTR

विवरण: MOSFET P-CH 100V 1.5A TSMT

निर्माता: LAPIS Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
STP3LN62K3

STP3LN62K3

विवरण: MOSFET N-CH 620V 2.5A TO220

निर्माता: STMicroelectronics
स्टॉक में
RFQ
FCH110N65F-F155

FCH110N65F-F155

विवरण: MOSFET N-CH 650V 35A TO247

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
RQ6C065BCTCR

RQ6C065BCTCR

विवरण: PCH -20V -6.5A MIDDLE POWER MOSF

निर्माता: LAPIS Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
TLC530FTU

TLC530FTU

विवरण: MOSFET N-CH 330V 7A TO220-3

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
HAT2099H-EL-E

HAT2099H-EL-E

विवरण: MOSFET N-CH 30V 50A LFPAK

निर्माता: Renesas Electronics America
स्टॉक में
RFQ
SISH129DN-T1-GE3

SISH129DN-T1-GE3

विवरण: MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK 1212-

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
RFQ
IPC171N04NX1SA1

IPC171N04NX1SA1

विवरण: MOSFET N-CH 40V 1A SAWN ON FOIL

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
स्टॉक में
RFQ
RQ6E050ATTCR

RQ6E050ATTCR

विवरण: MOSFET P-CH 30V 5A TSMT

निर्माता: LAPIS Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
IRLMS1902TRPBF

IRLMS1902TRPBF

विवरण: MOSFET N-CH 20V 3.2A 6-TSOP

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
स्टॉक में
RFQ
IXFN44N100P

IXFN44N100P

विवरण: MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227B

निर्माता: IXYS Corporation
स्टॉक में
RFQ
FDS6299S

FDS6299S

विवरण: MOSFET N-CH 30V 21A 8SOIC

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
NTMFS4744NT3G

NTMFS4744NT3G

विवरण: MOSFET N-CH 30V 7A SO-8FL

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
RQ6E030ATTCR

RQ6E030ATTCR

विवरण: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT

निर्माता: LAPIS Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
RQ6E055BNTCR

RQ6E055BNTCR

विवरण: MOSFET N-CH 30V 5.5A TSMT

निर्माता: LAPIS Semiconductor
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RFQ
RQ6C050UNTR

RQ6C050UNTR

विवरण: MOSFET N-CH 20V 5A TSMT

निर्माता: LAPIS Semiconductor
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RFQ
RQ6E035ATTCR

RQ6E035ATTCR

विवरण: MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT

निर्माता: LAPIS Semiconductor
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RFQ
RQ6C050BCTCR

RQ6C050BCTCR

विवरण: PCH -20V -5A MIDDLE POWER MOSFET

निर्माता: LAPIS Semiconductor
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RQ6E085BNTCR

RQ6E085BNTCR

विवरण: NCH 30V 8.5A MIDDLE POWER MOSFET

निर्माता: LAPIS Semiconductor
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