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NAND512R3A2SZA6F

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विशेष विवरण

भाग संख्या

NAND512R3A2SZA6F
निर्माता / ब्रांड

Micron Technology
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

IC FLASH 512M PARALLEL 63VFBGA
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
डाटा शीट

NAND512R3A2SZA6F.pdf
लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ

50ns
वोल्टेज आपूर्ति

1.7 V ~ 1.95 V
प्रौद्योगिकी

FLASH - NAND
प्रदायक डिवाइस पैकेज

63-VFBGA (9x11)
शृंखला

-
पैकेजिंग

Bulk
पैकेज / प्रकरण

63-TFBGA
परिचालन तापमान

-40°C ~ 85°C (TA)
माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

3 (168 Hours)
स्मृति के प्रकार

Non-Volatile
मेमोरी का आकार

512Mb (64M x 8)
मेमोरी इंटरफेस

Parallel
मेमोरी प्रारूप

FLASH
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant
विस्तृत विवरण

FLASH - NAND Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 50ns 63-VFBGA (9x11)
अभिगम समय

50ns

निम्नलिखित "NAND512R3A2SZA6F" संबंधित उत्पाद हैं।

NAND512W3A2CZA6E

विवरण: IC FLASH 512M PARALLEL 63VFBGA

निर्माता: Micron Technology

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अग्रिम पंजीकरण

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