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NAND512R3A3AZA6E

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    NAND512R3A3AZA6E
  • निर्माता / ब्रांड
    STMicroelectronics
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IC FLASH 512M PARALLEL 55VFBGA
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
    NAND512R3A3AZA6E.pdf
  • ईसीएडी मॉडल
  • लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ
    60ns
  • वोल्टेज आपूर्ति
    1.7 V ~ 1.95 V
  • प्रौद्योगिकी
    FLASH - NAND
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    55-VFBGA (8x10)
  • शृंखला
    -
  • पैकेजिंग
    Tray
  • पैकेज / प्रकरण
    55-TFBGA
  • दुसरे नाम
    497-3616
  • परिचालन तापमान
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • स्मृति के प्रकार
    Non-Volatile
  • मेमोरी का आकार
    512Mb (64M x 8)
  • मेमोरी इंटरफेस
    Parallel
  • मेमोरी प्रारूप
    FLASH
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • विस्तृत विवरण
    FLASH - NAND Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 60ns 55-VFBGA (8x10)
  • आधार भाग संख्या
    NAND512
  • अभिगम समय
    60ns
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STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

2024/09/27
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NAND512R3A2SN6F

NAND512R3A2SN6F

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NAND512R3A2AZA6E

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NAND512W3A2CN6E

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NAND512R3A2SZA6E

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NAND512W3A2DN6E

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NAND512R3A2BZA6E

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NAND512W3A2CZA6E

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NAND512W3A2BN6F

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NAND512R3A2SZAXE

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NAND512W3A0AV6E

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NAND512R3A2SE06

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NAND512W3A0AN6E

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