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NAND512W3A2CZA6E

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    NAND512W3A2CZA6E
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IC FLASH 512M PARALLEL 63VFBGA
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
  • लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ
    50ns
  • वोल्टेज आपूर्ति
    2.7 V ~ 3.6 V
  • प्रौद्योगिकी
    FLASH - NAND
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    63-VFBGA (9x11)
  • शृंखला
    -
  • पैकेजिंग
    Tray
  • पैकेज / प्रकरण
    63-TFBGA
  • परिचालन तापमान
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    3 (168 Hours)
  • स्मृति के प्रकार
    Non-Volatile
  • मेमोरी का आकार
    512Mb (64M x 8)
  • मेमोरी इंटरफेस
    Parallel
  • मेमोरी प्रारूप
    FLASH
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • विस्तृत विवरण
    FLASH - NAND Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 50ns 63-VFBGA (9x11)
  • आधार भाग संख्या
    NAND512-A
  • अभिगम समय
    50ns
NAND512W3A2SZA6F TR

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NAND512W3A2SZA6E

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NAND512W3A2SN6F TR

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NAND512W3A2SNXE

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NAND512W3A0AN6

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NAND512W3A2DN6E

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NAND512W3A2CN6E

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NAND512W3A2SE06

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NAND512R3A3AZA6E

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NAND512W3A2BN6F

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NAND512W3A2SN6E

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