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APT10SCD120BCT

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    APT10SCD120BCT
  • निर्माता / ब्रांड
    Microsemi
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
    APT10SCD120BCT.pdf
  • ईसीएडी मॉडल
  • वोल्टेज - फॉरवर्ड (VF) (मैक्स) @ हैं
    1.8V @ 10A
  • वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (मैक्स)
    1200V
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    TO-247
  • गति
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • शृंखला
    -
  • रिवर्स वसूली समय (trr)
    0ns
  • पैकेजिंग
    Tube
  • पैकेज / प्रकरण
    TO-247-3
  • ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन
    -55°C ~ 150°C
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Through Hole
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • डायोड प्रकार
    Silicon Carbide Schottky
  • डायोड विन्यास
    1 Pair Common Cathode
  • विस्तृत विवरण
    Diode Array 1 Pair Common Cathode Silicon Carbide Schottky 1200V 36A (DC) Through Hole TO-247-3
  • वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर
    200µA @ 1200V
  • वर्तमान - औसत रेक्टीफाइड (आईओ) (डायोड प्रति)
    36A (DC)

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शिपिंग
भुगतान
निम्नलिखित "APT10SCD120BCT" संबंधित उत्पाद हैं।
APT10DC120HJ

APT10DC120HJ

विवरण: DIODE SIC SCHOTTKY 1200V SOT227

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
RFQ
APT10M11B2VFRG

APT10M11B2VFRG

विवरण: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
RFQ
APT11N80BC3G

APT11N80BC3G

विवरण: MOSFET N-CH 800V 11A TO-247

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
RFQ
APT11GF120BRDQ1G

APT11GF120BRDQ1G

विवरण: IGBT 1200V 25A 156W TO247

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
RFQ
APT10M11JVRU2

APT10M11JVRU2

विवरण: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
RFQ
APT11GF120KRG

APT11GF120KRG

विवरण: IGBT 1200V 25A 156W TO220

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
RFQ
APT11N80KC3G

APT11N80KC3G

विवरण: MOSFET N-CH 800V 11A TO-220

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
RFQ
APT11F80S

APT11F80S

विवरण: MOSFET N-CH 800V 12A D3PAK

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
RFQ
APT10SCD65K

APT10SCD65K

विवरण: DIODE SILICON 650V 17A TO220

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
RFQ
APT10M09B2VFRG

APT10M09B2VFRG

विवरण: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
RFQ
APT102GA60L

APT102GA60L

विवरण: IGBT 600V 183A 780W TO264

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
RFQ
APT10M11JVR

APT10M11JVR

विवरण: MOSFET N-CH 100V 144A ISOTOP

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
RFQ
APT10SCD65KCT

APT10SCD65KCT

विवरण: DIODE SILICON 650V 17A TO220

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
RFQ
APT10M11JVRU3

APT10M11JVRU3

विवरण: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
RFQ
APT10SCD120K

APT10SCD120K

विवरण: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
RFQ
APT11GP60BDQBG

APT11GP60BDQBG

विवरण: IGBT 600V 41A 187W TO247

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
RFQ
APT10M07JVR

APT10M07JVR

विवरण: MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
RFQ
APT10SCD120B

APT10SCD120B

विवरण: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
RFQ
APT11F80B

APT11F80B

विवरण: MOSFET N-CH 800V 12A TO-247

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
RFQ
APT106N60B2C6

APT106N60B2C6

विवरण: MOSFET N-CH 600V 106A TO-247

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
RFQ
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