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STL100N1VH5

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विशेष विवरण

भाग संख्या

STL100N1VH5
निर्माता / ब्रांड

STMicroelectronics
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

MOSFET N-CH 12V 100A POWERFLAT56
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
डाटा शीट

STL100N1VH5.pdf
ईसीएडी मॉडल
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

500mV @ 250µA (Min)
वीजीएस (मैक्स)

±8V
प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज

PowerFlat™ (5x6)
शृंखला

STripFET™ V
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

3 mOhm @ 12.5A, 4.5V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

60W (Tc)
पैकेजिंग

Tape & Reel (TR)
पैकेज / प्रकरण

8-PowerVDFN
दुसरे नाम

497-11219-2
परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

2085pF @ 10V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

26.5nC @ 4.5V
FET प्रकार

N-Channel
FET फ़ीचर

-
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

2.5V, 4.5V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

12V
विस्तृत विवरण

N-Channel 12V 100A (Tc) 60W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (5x6)
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

100A (Tc)

निम्नलिखित "STL100N1VH5" संबंधित उत्पाद हैं।

STL10N60M2

विवरण: MOSFET N-CH 600V 5.5A PWRFLAT56

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