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STL10LN80K5

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    STL10LN80K5
  • निर्माता / ब्रांड
    STMicroelectronics
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    MOSFET N-CH 800V 6A POWERFLAT
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
    STL10LN80K5.pdf
  • वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र
    5V @ 100µA
  • वीजीएस (मैक्स)
    ±30V
  • प्रौद्योगिकी
    MOSFET (Metal Oxide)
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    PowerFlat™ (5x6) VHV
  • शृंखला
    MDmesh™ K5
  • आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस
    660 mOhm @ 4A, 10V
  • शक्ति का अपव्यय (मैक्स)
    42W (Tc)
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • पैकेज / प्रकरण
    8-PowerVDFN
  • परिचालन तापमान
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    42 Weeks
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
    427pF @ 100V
  • गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
    15nC @ 10V
  • FET प्रकार
    N-Channel
  • FET फ़ीचर
    -
  • ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)
    10V
  • स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)
    800V
  • विस्तृत विवरण
    N-Channel 800V 6A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (5x6) VHV
  • वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस
    6A (Tc)
  • सम्बंधित खबर
  • शिपिंग
  • भुगतान

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

2024/09/27
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विवरण: MOSFET N-CH 80V 100A POWERFLAT

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विवरण: MOSFET N-CH 30V 120A POWERFLAT

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विवरण: CONN RCPT 65POS 30AWG 36IN

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विवरण: TRANS NPN 230V 1.5A TO-92

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STL10N60M2

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विवरण: MOSFET N-CH 600V 5.5A PWRFLAT56

निर्माता: STMicroelectronics
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RFQ
STL11N3LLH6

STL11N3LLH6

विवरण: MOSFET N-CH 30V 11A POWERFLAT

निर्माता: STMicroelectronics
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