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GP1L57

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    GP1L57
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    PHOTOINTERRUPTER SLOT 10MM PCB
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड / आरओएचएस के अनुरूप नहीं है
  • डाटा शीट
  • ईसीएडी मॉडल
  • वोल्टेज - कलेक्टर Emitter टूटने (मैक्स)
    35V
  • प्रकार
    Unamplified
  • शृंखला
    -
  • संवेदन विधि
    Transmissive
  • सेंसिंग दूरी
    0.394" (10mm)
  • जवाब देने का समय
    130µs, 100µs
  • पैकेजिंग
    Bulk
  • पैकेज / प्रकरण
    PCB Mount
  • उत्पादन विन्यास
    Photodarlington
  • दुसरे नाम
    425-1036-5
  • परिचालन तापमान
    -25°C ~ 85°C
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Through Hole
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    3 (168 Hours)
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • विस्तृत विवरण
    Optical Sensor Transmissive 0.394" (10mm) Photodarlington PCB Mount
  • वर्तमान - डीसी फॉरवर्ड (यदि) (मैक्स)
    50mA
  • वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (मैक्स)
    40mA
GP1M003A050FG

GP1M003A050FG

विवरण: MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220F

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GP1M003A040CG

GP1M003A040CG

विवरण: MOSFET N-CH 400V 2A DPAK

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GP1M003A080FH

GP1M003A080FH

विवरण: MOSFET N-CH 800V 3A TO220F

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GP1FSV31TK0F

GP1FSV31TK0F

विवरण: OPTOELECTRONIC COMPONENT

निर्माता: Sharp Microelectronics
स्टॉक में
GP1FSV51TKMF

GP1FSV51TKMF

विवरण: OPTOELECTRONIC COMPONENT

निर्माता: Sharp Microelectronics
स्टॉक में
GP1M003A080CH

GP1M003A080CH

विवरण: MOSFET N-CH 800V 3A DPAK

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GP1M003A040PG

GP1M003A040PG

विवरण: MOSFET N-CH 400V 2A IPAK

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GP1M003A080PH

GP1M003A080PH

विवरण: MOSFET N-CH 800V 3A IPAK

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GP1L53V

GP1L53V

विवरण: PHOTOINTERRUPTER SLOT 5.0MM PCB

निर्माता: Sharp Microelectronics
स्टॉक में
GP1M003A050CG

GP1M003A050CG

विवरण: MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GP1L52VJ000F

GP1L52VJ000F

विवरण: SENSOR OPTO SLOT 3MM DARL THRU

निर्माता: Sharp Microelectronics
स्टॉक में
GP1FSV51TKVF

GP1FSV51TKVF

विवरण: OPTOELECTRONIC COMPONENT

निर्माता: Sharp Microelectronics
स्टॉक में
GP1M003A080H

GP1M003A080H

विवरण: MOSFET N-CH 800V 3A TO220

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GP1FSV51TK0F

GP1FSV51TK0F

विवरण: OPTOELECTRONIC COMPONENT

निर्माता: Sharp Microelectronics
स्टॉक में
GP1FSB31TK0F

GP1FSB31TK0F

विवरण: OPTOELECTRONIC COMPONENT

निर्माता: Sharp Microelectronics
स्टॉक में
GP1FV51TK0F

GP1FV51TK0F

विवरण: TX FIBER OPTIC SQARE W/SHUTTER

निर्माता: Sharp Microelectronics
स्टॉक में
GP1M003A050PG

GP1M003A050PG

विवरण: MOSFET N-CH 500V 2.5A IPAK

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GP1FSB31TKMF

GP1FSB31TKMF

विवरण: OPTOELECTRONIC COMPONENT

निर्माता: Sharp Microelectronics
स्टॉक में
GP1M003A050HG

GP1M003A050HG

विवरण: MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GP1L52V

GP1L52V

विवरण: PHOTOINTERRUPTER SLOT 3.0MM PCB

निर्माता: Sharp Microelectronics
स्टॉक में

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