GP1M003A050PG

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विशेष विवरण

भाग संख्या

GP1M003A050PG
निर्माता / ब्रांड

SemiQ
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

MOSFET N-CH 500V 2.5A IPAK
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
डाटा शीट

GP1M003A050PG.pdf
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

4V @ 250µA
वीजीएस (मैक्स)

±30V
प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज

I-PAK
शृंखला

-
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

2.8 Ohm @ 1.25A, 10V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

52W (Tc)
पैकेजिंग

Tape & Reel (TR)
पैकेज / प्रकरण

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार

Through Hole
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

395pF @ 25V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

9.2nC @ 10V
FET प्रकार

N-Channel
FET फ़ीचर

-
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

10V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

500V
विस्तृत विवरण

N-Channel 500V 2.5A (Tc) 52W (Tc) Through Hole I-PAK
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

2.5A (Tc)

निम्नलिखित "GP1M003A050PG" संबंधित उत्पाद हैं।

GP1M004A090H

विवरण: MOSFET N-CH 900V 4A TO220

निर्माता: Global Power Technologies Group

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अग्रिम पंजीकरण

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