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GP1M004A090FH

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    GP1M004A090FH
  • निर्माता / ब्रांड
    SemiQ
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    MOSFET N-CH 900V 4A TO220F
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
    GP1M004A090FH.pdf
  • ईसीएडी मॉडल
  • वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र
    4V @ 250µA
  • वीजीएस (मैक्स)
    ±30V
  • प्रौद्योगिकी
    MOSFET (Metal Oxide)
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    TO-220F
  • शृंखला
    -
  • आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस
    4 Ohm @ 2A, 10V
  • शक्ति का अपव्यय (मैक्स)
    38.7W (Tc)
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • पैकेज / प्रकरण
    TO-220-3 Full Pack
  • परिचालन तापमान
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Through Hole
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
    955pF @ 25V
  • गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
    25nC @ 10V
  • FET प्रकार
    N-Channel
  • FET फ़ीचर
    -
  • ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)
    10V
  • स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)
    900V
  • विस्तृत विवरण
    N-Channel 900V 4A (Tc) 38.7W (Tc) Through Hole TO-220F
  • वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस
    4A (Tc)

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GP1M003A080CH

GP1M003A080CH

विवरण: MOSFET N-CH 800V 3A DPAK

निर्माता: Global Power Technologies Group
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GP1M003A050CG

GP1M003A050CG

विवरण: MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK

निर्माता: Global Power Technologies Group
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GP1M005A040PG

GP1M005A040PG

विवरण: MOSFET N-CH 400V 3.4A IPAK

निर्माता: Global Power Technologies Group
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RFQ
GP1M005A050CH

GP1M005A050CH

विवरण: MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK

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GP1M005A050FH

GP1M005A050FH

विवरण: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220F

निर्माता: Global Power Technologies Group
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GP1M003A050PG

GP1M003A050PG

विवरण: MOSFET N-CH 500V 2.5A IPAK

निर्माता: Global Power Technologies Group
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GP1M003A050HG

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विवरण: MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220

निर्माता: Global Power Technologies Group
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GP1M003A080H

GP1M003A080H

विवरण: MOSFET N-CH 800V 3A TO220

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GP1M004A090H

GP1M004A090H

विवरण: MOSFET N-CH 900V 4A TO220

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GP1M003A090PH

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विवरण: MOSFET N-CH 900V 2.5A IPAK

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GP1M005A050FSH

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विवरण: MOSFET N-CH 500V 4A TO220F

निर्माता: Global Power Technologies Group
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GP1M003A080FH

GP1M003A080FH

विवरण: MOSFET N-CH 800V 3A TO220F

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GP1M005A050H

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विवरण: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220

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GP1M003A050FG

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विवरण: MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220F

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GP1M003A090C

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विवरण: MOSFET N-CH 900V 2.5A DPAK

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GP1M003A080PH

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विवरण: MOSFET N-CH 800V 3A IPAK

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GP1M005A040CG

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विवरण: MOSFET N-CH 400V 3.4A DPAK

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GP1M006A065CH

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विवरण: MOSFET N-CH 650V 5.5A DPAK

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GP1M005A050PH

विवरण: MOSFET N-CH 500V 4.5A IPAK

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GP1M005A050HS

विवरण: MOSFET N-CH 500V 4A TO220

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