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GPA025A120MN-ND

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    GPA025A120MN-ND
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IGBT 1200V 50A 312W TO3PN
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
  • वोल्टेज - कलेक्टर Emitter टूटने (मैक्स)
    1200V
  • Vce (पर) (मैक्स) @ Vge, आईसी
    2.5V @ 15V, 25A
  • परीक्षण स्थिति
    600V, 25A, 10 Ohm, 15V
  • टीडी (चालू / बंद) @ 25 डिग्री सेल्सियस
    57ns/240ns
  • स्विचिंग ऊर्जा
    4.15mJ (on), 870µJ (off)
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    TO-3PN
  • शृंखला
    -
  • रिवर्स वसूली समय (trr)
    480ns
  • पावर - मैक्स
    312W
  • पैकेजिंग
    Tube
  • पैकेज / प्रकरण
    TO-3
  • दुसरे नाम
    1560-1218-1
    1560-1218-1-ND
    1560-1218-5
  • परिचालन तापमान
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Through Hole
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • इनपुट प्रकार
    Standard
  • आईजीबीटी प्रकार
    NPT and Trench
  • गेट प्रभारी
    350nC
  • विस्तृत विवरण
    IGBT NPT and Trench 1200V 50A 312W Through Hole TO-3PN
  • वर्तमान - कलेक्टर स्पंदित (आईसीएम)
    75A
  • वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (मैक्स)
    50A
GPA060A060MN-FD

GPA060A060MN-FD

विवरण: IGBT 600V 120A 347W TO3PN

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GPA802DT-TP

GPA802DT-TP

विवरण: DIODE GPP 8A D2PAK

निर्माता: Micro Commercial Components (MCC)
स्टॉक में
GPA802-BP

GPA802-BP

विवरण: DIODE GPP 8A TO220AC

निर्माता: Micro Commercial Components (MCC)
स्टॉक में
GPA802 C0G

GPA802 C0G

विवरण: DIODE GEN PURP 100V 8A TO220AC

निर्माता: TSC (Taiwan Semiconductor)
स्टॉक में
GPA2000-0.010-02-0816

GPA2000-0.010-02-0816

विवरण: THERM PAD 406.4MMX203.2MM GRAY

निर्माता: Bergquist
स्टॉक में
GPA801HC0G

GPA801HC0G

विवरण: DIODE GEN PURP 50V 8A TO220AC

निर्माता: TSC (Taiwan Semiconductor)
स्टॉक में
GPA801-BP

GPA801-BP

विवरण: DIODE GPP 8A TO220AC

निर्माता: Micro Commercial Components (MCC)
स्टॉक में
GPA020A120MN-FD

GPA020A120MN-FD

विवरण: IGBT 1200V 40A 223W TO3PN

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GPA801DT-TP

GPA801DT-TP

विवरण: DIODE GPP 8A D2PAK

निर्माता: Micro Commercial Components (MCC)
स्टॉक में
GPA030A135MN-FDR

GPA030A135MN-FDR

विवरण: IGBT 1350V 60A 329W TO3PN

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GPA042A100L-ND

GPA042A100L-ND

विवरण: IGBT 1000V 60A 463W TO264

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GPA801 C0G

GPA801 C0G

विवरण: DIODE GEN PURP 50V 8A TO220AC

निर्माता: TSC (Taiwan Semiconductor)
स्टॉक में
GPA040A120L-FD

GPA040A120L-FD

विवरण: IGBT 1200V 80A 480W TO264

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GPA802HC0G

GPA802HC0G

विवरण: DIODE GEN PURP 100V 8A TO220AC

निर्माता: TSC (Taiwan Semiconductor)
स्टॉक में
GPA030A120MN-FD

GPA030A120MN-FD

विवरण: IGBT 1200V 60A 329W TO3PN

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GPA040A120L-ND

GPA040A120L-ND

विवरण: IGBT 1200V 80A 455W TO264

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GPA015A120MN-ND

GPA015A120MN-ND

विवरण: IGBT 1200V 30A 212W TO3PN

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GPA020A135MN-FD

GPA020A135MN-FD

विवरण: IGBT 1350V 40A 223W TO3PN

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GPA030A120I-FD

GPA030A120I-FD

विवरण: IGBT 1200V 60A 329W TO247

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GPA040A120MN-FD

GPA040A120MN-FD

विवरण: IGBT 1200V 80A 480W TO3PN

निर्माता: Global Power Technologies Group
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