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NAND01GR3B2CZA6E

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    NAND01GR3B2CZA6E
  • निर्माता / ब्रांड
    Micron Technology
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
    NAND01GR3B2CZA6E.pdf
  • ईसीएडी मॉडल
  • लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ
    25ns
  • वोल्टेज आपूर्ति
    1.7 V ~ 1.95 V
  • प्रौद्योगिकी
    FLASH - NAND
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    63-VFBGA (9.5x12)
  • शृंखला
    -
  • पैकेजिंग
    Tray
  • पैकेज / प्रकरण
    63-TFBGA
  • परिचालन तापमान
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    3 (168 Hours)
  • स्मृति के प्रकार
    Non-Volatile
  • मेमोरी का आकार
    1Gb (128M x 8)
  • मेमोरी इंटरफेस
    Parallel
  • मेमोरी प्रारूप
    FLASH
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • विस्तृत विवरण
    FLASH - NAND Memory IC 1Gb (128M x 8) Parallel 25ns 63-VFBGA (9.5x12)
  • आधार भाग संख्या
    NAND01G-A
  • अभिगम समय
    25ns
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  • शिपिंग
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NAND01GW4B2AN6E

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NAND01GR3B2BZA6E

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NAND01GW3B2AN6F

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NAND02GAH0LZC5E

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NAND01GW3B2BZA6E

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NAND01GW3A2AN6E

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NAND01GW3B2CZA6E

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NAND02GW3B2DN6E

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NAND04GW3C2BN6E

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NAND04GR3B2DN6E

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NAND02GW3B2AN6F

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NAND01GW3B2CN6E

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NAND02GR3B2DN6E

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NAND02GR3B2DZA6E

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NAND01GW3A0AN6E

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NAND02GAH0IZC5E

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NAND04GW3B2DN6E

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NAND02GW3B2DZA6E

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NAND01GW3B2AN6E

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NAND01GW3B2AZA6E

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